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池功能及48V锂电池的用处引见
时间:2019-09-01 08:56 来源:优发国际线,优发国际开户注册 点击:

  优发平台 锂电池(可充型)之所以需要,是由它本身特征决定的。因为锂电池本身的材料决定了它不克不及被过充、过放、过流、

  锂电池的功能凡是由电板和PTC等电流器件协同完成,板是由电子电构成,正在-40℃至+85℃的下时辰精确的电芯的电压和充放回的电流,及时电流回的通断;PTC正在高温下防止电池发生恶劣的损坏。

  通俗锂电池板凡是包罗IC、MOS开关电阻电容及辅帮器件FUSE、PTC、NTC、ID、存储器等。此中IC,正在一切一般的下MOS开关导通,使电芯取外电导通,而当电芯电压或回电流跨越值时,它立即MOS开关关断,电芯的平安。

  正在板一般的下,Vdd为高电平,Vss,VM为低电平,DO、CO为高电平,当Vdd,Vss,VM任何一项参数变换时,DO或CO端的电平将发生变化。

  48V锂电池常见的用处次要有:电动低速车、通信基坐备用电池、挪动铁塔备用电源、办事器机房备用电源,UPS备用电源、房车储能电池,汽车混动电池等场所。

  锂电池组的价钱现正在仍是比铅酸电池要贵2倍,但其利用的寿命是铅酸电池的2-3倍,加上锂电池的体积和分量对比铅酸电池都小良多,具有铅酸电池良多所不具备的特征。锂电池正在良多行业已逐渐起头替代铅酸电池,如通信基坐、电动低速车,房车储能电池等。出格正在低速车范畴国度正在利用锂电池,削减铅酸电池对的污染。

  我们将《嵌入式工程师-系列课程》分成两大阶段:第一阶段:《计较机系统布局》课程 分成4篇:别离是

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  大师城市存正在一个误区,大师都认为清洗焊接后的电板,是为了美妙,除此之外没有什么出格的用处,其实否则....

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  1、千呼万唤始出来,开关电源安规全正在这! 2、工程师告诉你做PCB设想(下篇) 3.16个磁性元件专业术语,全数都懂的工程师...

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  请问怎样正在中缀办事法式中更新线上,我想正在中缀办事法式中更新线性存储器。我晓得FSR0正在FSR0LLSHAD和FSR0HSHAD的银行31中...

  跟着工业扩展的需求清洗市场也随之不竭的成长。明白洁净度目标很是主要,相当一部门潜正在的焊剂残渣和污染物....

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  目前我国大量利用的敷铜板有以下几品种型,其特征如下:敷铜板品种,敷铜板学问,覆铜箔板的分类方式有多种....

  高密度电板HDI但愿提高链接密度,因而采用小盲孔布局设想,特定产物会采用RCC材料或孔上孔布局制做....

  ROM的特点是把消息写入存储器当前,能持久保留,不会因电源断电而丢失消息。计较机正在运转过程中,只能读....

  引见了以嵌入式芯片S3C2410为焦点的最小嵌入式系统建立方式,给出了S3C2410的电源电、晶振....

  1.正在流程上领受到的材料能否齐备(包罗:道理图、*.brd文件、料单、PCB设想申明以及PCB设想或....

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  零欧姆电阻又称为跨接电阻器,是一种特殊用处的电阻,0欧姆电阻的并非实正的阻值为零,欧姆电阻现实是电阻....

  小尺寸的表贴电容焊接时必然要小心,出格是电源滤波电容(103或104),数量多,很容易形成电源取地短....

  曲升机, 我是研究生。 我买了一个新的sp605并测验考试正在其上加半个加。 我想看看总和并继续董事会的LED。 我用输入...

  多层板正在器件选型方面,必需定位正在概况安拆元器件(SMD)的选择上,SMD以其小型化、高度集成化、高可....

  TWR-K21D50M-KIT,旨正在为需要中等嵌入式存储器密度的使用法式实现快速原型设想和开辟

  设想利用了ALTERA 的EP3C1*84C6型号FPGA 做为视频处置焦点,毗连两片DDR2 SDRAM,DDR2芯片型号为M ic...

  这一系列大规模集成电(LSI)可支撑全高清视频(1,920点×1,080行)正在H.264格局下的编解码。该芯片正在低功耗方面具有业界领...

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  贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比力大的常用元件,出产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U....

  电板孔内发生铜渣多半出自槽液中的固体粒子堆积所致,比力常见的来历包罗化学铜粗拙、电镀烧焦颗粒堆积等....

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  据外媒报道,总部位于Sawston的剑桥大学衍生公司Echion Technologies正预备将其....

  家喻户晓,正在电动车方才问世的时候就遭到了的逃捧。电动车不竭的更新换代,那么做为电动车最根本的动力....

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  电板孔可焊性欠好,将会发生虚焊缺陷,影响电中元件的参数,导致多层板元器件和内层线导通不不变,惹起....

  STM8S平台打制8位微器的全新世代,高达20 MIPS的CPU机能和2.95-5.5V的电压范....

  为什么需要样品板制做机制?当前,电子手艺正正在以超凡的速度成长,正在2000年,世界电子产物市场将初次越过万亿美元大关。正在这...

  因为信号不成能正在不用逝的下被复制或放大,科学家们目前正正在研究若何通过捕捉光子并使它们同步,从而使....

  RLBXA是一款2线串行接口EEPROM。它连系了我们公司的高机能CMOS EEPROM手艺,实现了高速和高靠得住性。该器件取I 2 C存储器和谈兼容;因而,它最适合需要小规模可沉写非易失性参数存储器的使用法式。 特征 劣势 单电源电压:1.7V至3.6V(读取) 低功耗 擦除/写入周期:10 5 周期(页面写入) 高靠得住性 容量:16k位(2k x 8位) 工做温度:-40至+ 85°C 接口:双线 C总线kHz 低功耗:待机: 2μA( max)无效(读取):0.5mA(最大值) 从动页面写入模式:16字节 阅读模式:挨次阅读和随机阅读 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高靠得住性 使用 手机相机模块 电图、引脚图和封拆图...

  消息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,合用于占空比为 1 至 32 的多复用系统。 每个通道都具有零丁可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提拔视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频次。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度 (CC) 功能。 全数 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调理 LED 驱动器之间的亮度误差。 可通过一个串行接口端口拜候 GS、CC 和 BC 数据。如需使用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标记:LED 开检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可正在全数输出封闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特征 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度 (BC)/最大颜色亮度 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度 (CC):9 位(512 步长),三组利用多复用加强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) :16 位 支撑 32 多复用的 48K 位灰度数据...

  TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率处理方案、用于嵌入式计较的同步降压器

  消息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and stest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains st transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...

  TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

  消息描述 TPS53317A 器件是一款设想为次要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它可以或许供给一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有接收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运转模式,简单易用,所需外部组件数较少并可供给快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压使用。此外,该器件支撑具有电压调理功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频次设定值(600kHz 和 1MHz),可供给集成压降支撑、外部功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源一般功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 功能,支撑采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支撑的输入电压最高可达 6V,而输出电压正在 0.45V 至 2.0V 范畴内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封拆(绿色环保,合适 RoHS 尺度而且无铅),此中使用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封拆手艺,其额定运转温度范畴为 –40°C 至 85°C。特征 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封拆手艺支撑 DDR 内存...

  消息描述 TPS51716 用起码总体成本和最小空间供给一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器器 (VDDQ),此器具有 2A 灌电流/拉电流 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用取 500kHz 或 670kHz 工做频次相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式正在无需外部弥补电的下可支撑陶瓷输出电容器。 VTTREF VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 可以或许供给 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个公用的 LDO 电源输入。TPS51716 供给丰硕、适用的功能以及超卓的电源机能。 它支撑矫捷功率级,将 VTT 置于 S3 中的高形态并正在 S4/S5 形态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软封闭)。 它包罗具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封拆而且其额定温度范畴介于 -40°C 至 85°C 之间。特征 同步降压器 (VDDQ)转换电压范畴:3V 至 28V输出...

  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源处理方案同步降压器,2A LDO,缓冲参考

  消息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and st transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

  消息劣势和特点 单通道、1024位分辩率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)逛标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交换或双极性工做模式) I2C兼容型接口 逛标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储正在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封拆 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封拆产物详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻机能取非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封拆。该器件既能够采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也能够采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并供给50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的逛标设置可通过I²C兼容型数字接口。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮帮熔断熔丝,并供给50次编程的机遇。正在50-TP激活期间,一个熔断熔丝指令会将电阻固定(雷同于将环氧树脂涂正在机械式调整器上)。AD5175供给3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封拆。工做温度范畴为−40°C至+125°C扩展...

  消息劣势和特点 单通道、1024位分辩率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)逛标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交换或双极性工做模式) SPI兼容型接口 逛标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储正在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封拆 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封拆产物详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻机能取非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封拆。 该器件既能够采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也能够采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并供给50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的逛标设置可通过SPI数字接口。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮帮熔断熔丝,并供给50次编程的机遇。正在50-TP激活期间,一个熔断熔丝指令会将电阻固定(雷同于将环氧树脂涂正在机械式调整器上)。AD5174供给3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封拆。工做温度范畴为−40°C至+125°C扩展工业...

  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

  消息劣势和特点 单通道、256/1024位分辩率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻机能模式):±1%(最大值) 20次可编程逛标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲领会更多特征,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范畴:−55°C至+125°C 受制基线 独一封拆/测试厂 独一制制厂 加强型产物变动通知 认证数据可应要求供给 V62/12616 DSCC图纸号产物详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻机能取非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封拆。这些器件可以或许正在宽电压范畴内工做,支撑±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的低电阻容差误差特征能够简化开环使用,以及细密校准取容差婚配使用。AD5291和AD5292的逛标设置可通过SPI数字接口。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮帮熔断熔丝,并供给20次编程的机...

  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

  消息劣势和特点 单通道、256/1024位分辩率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻机能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲领会更多特征,请参考数据手册 产物详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,别离是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻机能取非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封拆。这些器件的工做电压范畴很宽,既能够采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也能够采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并供给20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的低电阻容差误差特征能够简化开环使用,以及细密校准取容差婚配使用。AD5291/AD5292的逛标设置可通过SPI数字接口。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮帮熔断熔丝,并供给20次编程的机遇。正在20-TP激活期间,一个熔断熔丝指令会将逛标固定(雷同于将环氧树脂涂正在机械式调整器上)。AD5291/AD52...

  消息劣势和特点 四通道、64位分辩率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储逛标设置,并具有写功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM沉写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储正在非易失性存储器中 EEMEM供给12个额外字节,可存储用户自定义消息 I2C兼容型串行接口 间接读写RDAC2 和EEMEM寄放器 预定义线性递增/递减号令 预定义±6 dB阶跃变化号令 欲领会更多消息,请参考数据手册产物详情AD5253/AD5254别离是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字电位计,可实现取机械电位计、调整器和可变电阻不异的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,能够供给多种工做模式,包罗读写RDAC和EEMEM寄放器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、逛标设置回读,并额外供给EEMEM用于存储用户自定义消息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别消息等。从控I2C器能够将任何64/256步逛标设置写入RDAC寄放器,并将其存储正在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将从动恢复至RDAC寄放器;也能够动态恢复这些设置。正在同步或异步通...

  消息劣势和特点 四通道、256位分辩率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储逛标设置,并具有写功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM沉写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储正在非易失性存储器中 EEMEM供给12个额外字节,可存储用户自定义消息 I2C兼容型串行接口 间接读/写RDAC2 和EEMEM寄放器 预定义线性递增/递减号令 预定义±6 dB阶跃变化号令 欲领会更多特征,请参考数据手册产物详情AD5253/AD5254别离是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字电位计,可实现取机械电位计、调整器和可变电阻不异的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,能够供给多种工做模式,包罗读写RDAC和EEMEM寄放器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、逛标设置回读,并额外供给EEMEM用于存储用户自定义消息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别消息等。从控I2C器能够将任何64/256步逛标设置写入RDAC寄放器,并将其存储正在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将从动恢复至RDAC寄放器;也能够动态恢复这些设置。正在同步或异步通...

  消息劣势和特点 非易失性存储器可保留逛标设置 电阻容差存储正在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 逛标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操做电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写 数据保留刻日:100年(典型值, TA = 55°C )产物详情AD5252是一款双通道、数字可变电阻(VR),具有256位分辩率。它可实现取电位计或可变电阻不异的电子调整功能。该器件通过微器实现多功能编程,能够供给多种工做取调整模式。正在间接编程模式下,能够从微器间接加载RDAC寄放器的预设置。正在另一种次要工做模式下,能够用以前存储正在EEMEM寄放器中的设置更新RDAC寄放器。当更改RDAC寄放器以确立新的逛标位时,能够通过施行EEMEM保留操做,将该设置值保留正在EEMEM中。一旦将设置保留正在EEMEM寄放器之后,这些值就能够从动传输至RDAC寄放器,以便正在系统上电时设置逛标位。这种操做由内部预设选通脉冲使能;也能够从外部拜候预设值。根基调整模式就是正在逛标位设置(RDAC)寄...

  消息劣势和特点 非易失性存储器保留逛标设置 电阻容差存储正在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 逛标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操做电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写 数据连结能力:100年(典型值,TA = 55°C )产物详情AD5251是一款双通道、数字可变电阻(VR),具有64位分辩率。它可实现取电位计或可变电阻不异的电子调整功能。该器件通过微器实现多功能编程,能够供给多种工做取调整模式。正在间接编程模式下,能够从微器间接加载RDAC寄放器的预设置。正在另一种次要工做模式下,能够用以前存储正在EEMEM寄放器中的设置更新RDAC寄放器。当更改RDAC寄放器以确立新的逛标位时,能够通过施行EEMEM保留操做,将该设置值保留正在EEMEM中。一旦将设置保留正在EEMEM寄放器之后,这些值就能够从动传输至RDAC寄放器,以便正在系统上电时设置逛标位。这种操做由内部预设选通脉冲使能;也能够从外部拜候预设值。根基调整模式就是正在逛标位设置(RDAC)寄放器...

  消息劣势和特点 双通道、1024位分辩率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储逛标设置 加电刷新EEMEM设置 性存储器写 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义消息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范畴:-40℃至+125°C 受制基线 一个拆卸/测试厂 一个制制厂 加强型产物变动通知 认证数据可应要求供给 V62/11605 DSCC图纸号产物详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,具有1024阶跃分辩率,最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现取机械电位计不异的电子调整功能,并且具有加强的分辩率、固态靠得住性和超卓的低温度系数机能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有矫捷的编程能力,支撑多达16种工做模式和调理模式,此中包罗暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和逛标设置回读,同时供给额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义消息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识消息等。...

  消息劣势和特点 1024位分辩率 非易失性存储器保留逛标设置 上电时EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全枯燥性工做 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 存储器写 逛标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产物详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字电位计**,供给1024阶分辩率。它可实现取机械电位计不异的电子调整功能,并且具有加强的分辩率、固态靠得住性和遥控能力。该器件功能丰硕,可通过一个尺度三线式串行接口进行编程,具有16种工做取调整模式,包罗便笺式编程、存储器存储取恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、逛标设置回读,并额外供给EEMEM用于存储用户自定义消息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别消息等。正在便笺式编程模式下,能够将特定设置间接写入RDAC寄放器,以设置端子W–A取端子W–B之间的电阻。此设置能够存储正在EEMEM中,并正在系统上电时从动传输至RDAC寄放器。EEMEM内容能够动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可EE...

  28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支撑串行外设接口(SPI)和谈。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停取CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写功能,包罗部门和全数阵列。 片上ECC(纠错码)使该器件合用于高靠得住性使用。 合用于新产物(Rev. E)。 特征 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操做 硬件和软件 低功耗CMOS手艺 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范畴 自按时写周期 64字节页面写缓冲区 块写 - 1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000打算/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封拆 此设备无铅,无卤素/ BFR,合适RoHS尺度 其他识别具有写的页面 使用 汽车系统 通信系统 计较机系统 消费者系统 工业系统 电图、引脚图和封拆图...

  56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支撑串行外设接口(SPI)和谈。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停取CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写功能,包罗部门和全数阵列。 片上ECC(纠错码)使该器件合用于高靠得住性使用。 合用于新产物(Rev. E)。 特征 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范畴 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有写的附加标识页(新产物) 自按时写周期 硬件和软件 100年数据保留期 1,000,000个法式/擦除周期 低功耗CMOS手艺 块写 - 1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范畴 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封拆 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及合适RoHS尺度 使用 汽车系统 Communica tions Systems 计较机系统 消费者系统 工业系统 ...

  消息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先辈的CMOS手艺大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支撑串行外设接口(SPI)和谈。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停取CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写功能,包罗部门和全数阵列。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范畴 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自按时写入周期 硬件和软件 块写 - 1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS手艺 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范畴 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封拆 这些器件无铅,无卤素/ BFR,合适RoHS尺度...

  60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支撑串行外设接口(SPI)和谈。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停取CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写功能,包罗部门和全数阵列。 特征 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范畴 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自按时写周期 硬件和软件 块写 - 1 / 4,1 / 2或全数EEPROM阵列 低功耗CMOS手艺 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范畴 合适RoHS尺度的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 使用 汽车系统 通信系统 计较机系统 消费者系统 工业系统 电图、引脚图和封拆图...


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